نسل هشتم حافظه V-NAND سامسونگ

نسل هشتم حافظه V-NAND سامسونگ، با افزایش قابل توجه سرعت حافظه‌های SSD، دارای بالاترین تراکم بیت و ظرفیت ذخیره‌سازی است. این حافظه‌ های جدید دارای سرعت انتقال ۲۴۰۰ MTps هستند و در صورت ادغام با یک کنترلر پیشرفته، می‌توانند سرعت حافظه های SSD را به ۱۲ گیگابایت در ثانیه افزایش دهند.

کمپانی سامسونگ اعلام کرده است که تولید انبوه حافظه سه بعدی NAND (احتمالا ۲۳۶ لایه) خود را به عنوان نسل هشتم حافظه V-NAND آغاز کرده است. نسل هشتم حافظه V-NAND سامسونگ به ظرفیت ۱ ترابایتی مجهز شده که سامسونگ آن را بالاترین گنجایش در میان نمونه‌های رقیب می‌نامد، بدون آنکه اندازه یا چگالی آن را فاش کند. این حافظه هم‌چنین دارای نرخ انتقال داده ۲۴۰۰ MTps است که برای بهترین انواع اس‌اس‌دی ها با رابط PCIe 5.0 x4، پس از جفت شدن با یک کنترلر مناسب، سرعت ۱۲٫۴ گیگابایت بر ثانیه را ارائه می‌دهد.

سامسونگ مدعی است که نسل جدید حافظه سه بعدی NAND این شرکت در مقایسه با آی سی‌های فلش فعلی با ظرفیت مشابه، ۲۰ درصد بهره‌وری بالاتری را در هر ویفر ارائه می‌دهد که این امر به کاهش هزینه‌های شرکت و در نتیجه تولید اس‌اس‌دی‌های ارزان‌تر کمک خواهد کرد.

در عین حال، سامسونگ هنوز در مورد معماری تراشه ذخیره‌سازی خود اطلاعاتی را منتشر نکرده، اما تصویر ارائه شده حاکی از یک حافظه NAND سه بعدی دو صفحه است. از آنجا که رشد تقاضا در بازار برای حافظه متراکم‌تر و با ظرفیت بیشتر، باعث تعداد افزایش تعداد لایه‌های V-NAND می‌شود، سامسونگ از فناوری مقیاس‌بندی سه‌بعدی پیشرفته خود برای کاهش سطح و ارتفاع استفاده کرده است که به طور هم‌زمان از تداخل سلول به سلول که معمولا با فشرده‌سازی رخ می‌دهد نیز جلوگیری می‌کند.

سونگ‌هو، معاون اجرایی محصولات و فناوری فلش سامسونگ گفت: نسل هشتم حافظه V-NAND سامسونگ به پاسخگویی سریع به تقاضای رو به رشد بازار و موقعیت بهتر ما برای ارائه محصولات و راه‌حل‌های متفاوت‌تر که اساس نوآوری‌های ذخیره‌سازی آینده خواهند بود، کمک می‌کند.

سامسونگ هنوز از هیچ نمونه‌ای مبتنی بر نسل هشتم حافظه V-NAND خود رونمایی نکرده است، با این حال به نظر می‌رسد که اولین نمونه‌ها در سرورهای سازمانی پیشرفته استفاده خواهند شد.